M29W128GH70N6E是采用90nm單級單元（SLC）技術制造的異步，統一塊，并行NOR閃存設備。讀取，擦除和編程操作使用單個低壓電源執行。上電后，設備
默認為讀取陣列模式。
主存儲器陣列分為統一的塊，可以獨立擦除這些塊，以便在清除舊數據時可以保留有效數據。程序和擦除
命令被寫入存儲器的命令接口。片上程序/
擦除控制器通過以下操作簡化了編程或擦除存儲器的過程
注意更新內存內容所需的所有特殊操作。一個結束
可以檢測到PROGRAM或ERASE操作，并且可以識別任何錯誤情況。控制設備所需的命令集與JEDEC標準一致。
CE＃，OE＃和WE＃控制設備的總線操作，并實現與大多數微處理器的簡單連接，而通常無需附加邏輯。
M29W支持異步隨機讀取和頁面的所有塊的頁面讀取
數組。它具有寫入緩沖區程序的功能，該功能通過在一個命令序列中對32個字的緩沖區進行編程來提高吞吐量。同樣，在x16模式下，增強的緩沖編程能力通過編程256個字來提高吞吐量
在一個命令序列中。器件VPP / WP＃信號可加快編程速度。
該設備包含一個128字（x16）和256字節（x8）擴展存儲塊。的
用戶可以對此額外空間進行編程，然后對其進行保護以永久保護
內容。該設備還具有不同級別的硬件和軟件保護
保護塊免受不必要的修改。
產品特點：M29W128GH70N6E
• 電源電壓
– VCC = 2.7–3.6V（編程，擦除，讀取）
– VCCQ = 1.65–3.6V（I / O緩沖器）
– VPPH = 12V，用于快速編程（可選）
•異步隨機/頁面讀取
–頁面大小：8個字或16個字節
–頁面訪問：25、30ns
–隨機訪問：60ns1
，70，80ns
•快速程序命令：32字（64字節）寫
緩沖
•增強的緩沖程序命令：256字
•節目時間
–每字節/字TYP 16μs
–芯片編程時間：帶VPPH的芯片時間為5s，不帶VPPH的芯片時間為8s
副總裁
•記憶組織
–統一塊：128個主塊，128 KB或
每個64 Kword
•編程/擦除控制器
–嵌入式字節/字程序算法
•編程/擦除暫停和恢復功能
–在PROGRAM SUSPEND操作期間從任何塊讀取
–在ERASE期間讀取或編程另一個塊
暫停操作
•解鎖旁路，塊擦除，芯片擦除，寫入緩沖區，增強的緩沖區程序命令
–快速緩沖/批量編程
–快速塊/芯片擦除
•VPP / WP＃引腳保護
–保護第一個或最后一個塊，無論哪個塊
保護設置
•軟件保護
–揮發性保護
–非易失性保護
–密碼保護
•擴展內存塊
– 128字（256字節）存儲塊，用于永久，安全的標識
•通用閃光燈接口
– 64位安全代碼
•低功耗：待機和自動
模式
•每次最少100,00個程序/擦除周期
塊
•符合RoHS的軟件包
– 56引腳TSOP（N）14mm x 20mm
– 64球TBGA（ZA）10mm x 13mm
– 64球FBGA（ZS）11mm x 13mm
• 電子簽名
–制造商代碼：0020h
– M29W128GH制服，最后一塊受保護
VPP / WP＃：227Eh + 2221h + 2201h
– M29W128GL制服，第一塊受保護
VPP / WP＃：227Eh + 2221h + 2200h
•汽車設備級溫度
– –40°C至+ 125°C（通過汽車級認證）
制造商: Micron Technology
產品種類: NOR閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-56
系列: M29W
存儲容量: 128 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 10 mA
接口類型: Parallel
組織: 16 M x 8/8 M x 16
數據總線寬度: 8 bit/16 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
存儲類型: NOR
速度: 70 ns
類型: Boot Block
商標: Micron
電源電流—最大值: 10 mA
產品類型: NOR Flash
標準: Common Flash Interface (CFI)
工廠包裝數量: 576
子類別: Memory & Data Storage
