Micron并行NOR閃存是最新一代的閃存設備。好處包括在較小的空間中實現更高的密度，高速接口設備以及對代碼和數據存儲的支持。功能包括高性能同步突發
讀取模式，快速的異步訪問時間，低功耗，靈活的安全選項以及
三個行業標準的包裝選擇。該產品系列采用美光65納米工藝技術制造。
NOR閃存設備可在16位數據總線上以低電壓提供高性能。
可單獨擦除的存儲塊的大小可實現最佳代碼和數據存儲。
初始加電或從復位返回時，設備默認為異步頁面模式讀取。配置讀取配置寄存器可啟用同步突發模式讀取。在同步突發模式下，輸出數據與用戶提供的時鐘信號同步。 WAIT信號可輕松實現CPU到閃存的同步。
除了增強的架構和接口外，該器件還集成了可實現快速工廠編程和ERASE操作的技術。該設備專為低壓系統而設計，支持在低電壓下使用VCC進行讀取操作，并且
在低電壓或VPPH下使用VPP進行ERASE和PROGRAM操作。緩沖增強型工廠編程（BEFP）通過VPPH的VPP提供最快的閃存陣列編程性能，從而提高了工廠吞吐量。在低電壓下使用VPP時，VCC和VPP可以連接在一起，以實現簡單的超低功耗設計。此外
電壓靈活性，專用的VPP連接可在以下情況下提供完整的數據保護
VPP≤VPPLK。
命令用戶界面是系統處理器和設備的所有內部操作之間的界面。器件自動執行塊擦除和編程所需的算法和時序。狀態寄存器指示ERASE或PROGRAM完成以及可能發生的任何錯誤。
行業標準的命令序列調用編程和擦除自動化。
每次ERASE操作都會擦除一個塊。擦除暫停功能使系統軟件可以暫停ERASE周期以讀取或編程另一個塊中的數據。程序掛起使系統軟件可以暫停編程以讀取其他位置。數據是
以字為增量（16位）進行編程。
保護寄存器啟用了唯一的設備標識，可用于提高系統安全性。單獨的塊鎖定功能提供零延遲塊
鎖定和解鎖。該設備包括通過密碼訪問的增強保護；
此新功能支持用戶定義塊的寫和/或讀訪問保護。在
此外，該設備還提供了完整的設備OTP安全功能。
產品特點：PC28F256P30BFE
•高性能
– Easy BGA的100ns初始訪問
– 110ns的TSOP初始訪問權限
– 25ns 16字異步頁面讀取模式
– 52 MHz（Easy BGA），零等待狀態，
17ns時鐘至數據輸出同步突發
閱讀模式
–突發的4、8、16和連續字選項
模式
–緩沖增強型工廠編程（BEFP）
使用512字緩沖區的速度為2 MB / s（TYP）
–以1.14 MB / s（TYP）進行的1.8V緩沖編程
使用512字緩沖區
•建筑
– MLC：以最低的成本獲得最高的密度
–不對稱阻塞的架構
–四個32KB參數塊：頂部或底部配置
– 128KB主塊
–空白檢查以驗證擦除的塊
•電壓和功率
– VCC（核心）電壓：1.7V至2.0V
– VCCQ（I / O）電壓：1.7V至3.6V
–靜態電流：對于65Mb為65μA（TYP）
– 52 MHz連續同步讀取電流：
21mA（典型值），24mA（最大）
•安全性
–一次性可編程寄存器：64個OTP位，
利用美光的獨特信息進行編程； 2112個OTP位可用于客戶編程
–絕對寫保護：VPP = VSS
–電源轉換擦除/程序鎖定
–零等待時間塊鎖定
–單個塊鎖定
–密碼訪問
•軟件
–25μs（TYP）程序掛起
–25μs（TYP）擦除暫停
–優化了Flash Data Integrator
–基本命令集和擴展功能接口（EFI）命令集兼容
–通用閃存接口
•密度與包裝
– 56引線TSOP封裝（僅256Mb）
– 64球Easy BGA封裝（256Mb，512Mb）
– QUAD +和SCSP軟件包（256Mb，512Mb）
– 16位寬的數據總線
•質量和可靠性
–符合JESD47
–工作溫度：–40°C至+ 85°C
–每個塊最少100,000個ERASE周期
– 65nm制程技術
制造商: Micron Technology
產品種類: NOR閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: BGA-64
系列: P30
存儲容量: 256 Mbit
電源電壓-最小: 1.7 V
電源電壓-最大: 2 V
有源讀取電流（最大值）: 50 mA
接口類型: Parallel
最大時鐘頻率: 52 MHz
組織: 16 M x 16
數據總線寬度: 16 bit
定時類型: Asynchronous, Synchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
存儲類型: NOR
速度: 100 ns
類型: Boot Block
商標: Micron
電源電流—最大值: 50 mA
產品類型: NOR Flash
標準: Common Flash Interface (CFI)
工廠包裝數量: 864
子類別: Memory & Data Storage
