該設備是異步，統一塊，并行NOR閃存設備。
讀取，擦除和編程操作使用單個低壓電源執行。上電后，設備默認為讀取陣列模式。
主存儲器陣列分為統一的塊，可以獨立擦除這些塊，以便在清除舊數據時可以保留有效數據。程序和擦除
命令被寫入存儲器的命令接口。片上程序/
擦除控制器通過以下操作簡化了編程或擦除存儲器的過程
注意更新內存內容所需的所有特殊操作。一個結束
可以檢測到PROGRAM或ERASE操作，并且可以識別任何錯誤情況。控制設備所需的命令集與JEDEC標準一致。
CE＃，OE＃和WE＃控制設備的總線操作，并實現與大多數微處理器的簡單連接，而通常無需附加邏輯。
該設備支持異步隨機讀取和頁讀取的所有塊
數組。它還具有一個內部程序緩沖區，可通過一個命令序列對512個字進行編程，從而提高了吞吐量。 128字擴展存儲塊與數組塊0的地址重疊。用戶可以對此附加空間進行編程，然后
保護它以永久保護內容。該設備還具有不同級別的功能
硬件和軟件保護，以保護塊免受不必要的修改。
注意：對于2Gb設備，A [26] = VIH選擇上一個芯片，而A [26] = VIL選擇下一個芯片
死。選擇不同的芯片時，應將設置命令重新發出給設備。
產品特點：PC28F256M29EWHA
•2Gb =堆疊設備（兩個1Gb裸片）
• 電源電壓
– VCC = 2.7–3.6V（編程，擦除，讀取）
– VCCQ = 1.65–VCC（I / O緩沖器）
•異步隨機/頁面讀取
–頁面大小：16個字或32個字節
–頁面訪問：25ns
–隨機訪問：100ns（增強的BGA）；
110ns（TSOP）
•緩沖區程序：512字程序緩沖區
•節目時間
–使用完整模式時，每字節TYP為0.88μs（1.14 MB / s）
緩沖區程序中的512字緩沖區大小
•記憶組織
–統一塊：每個128 KB或64 Kword
•編程/擦除控制器
–嵌入式字節（x8）/字（x16）程序算法
•編程/擦除暫停和恢復功能
–在編程期間從另一個塊讀取
暫停操作
–在ERASE期間讀取或編程另一個塊
暫停操作
•BLANK CHECK操作以驗證擦除的塊
•解鎖旁路，塊擦除，芯片擦除和寫入
緩沖能力
–快速緩沖/批量編程
–快速塊/芯片擦除
•VPP / WP＃引腳保護
–保護第一個或最后一個塊，無論哪個塊
保護設置
•軟件保護
–揮發性保護
–非易失性保護
–密碼保護
–密碼訪問
•擴展內存塊
– 128字（256字節）的塊，用于永久，安全
鑒定
–在工廠或由編程人員編程或鎖定
顧客
•低功耗：待機模式
•符合JESD47
–每個塊100,000個最小ERASE周期
–數據保留：20年（TYP）
•65納米多層電池（MLC）工藝技術
•包裝
– 56引腳TSOP，14 x 20mm
– 64球強化BGA，13 x 11mm
•提供綠色包裝
–符合RoHS
–無鹵素
•工作溫度
–環境：–40°C至+ 85°C
制造商: Micron Technology
產品種類: NOR閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: BGA-64
系列: M29EW
存儲容量: 256 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 50 mA
接口類型: Parallel
組織: 16 M x 16
數據總線寬度: 16 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
存儲類型: NOR
速度: 100 ns
類型: Boot Block
商標: Micron
電源電流—最大值: 50 mA
產品類型: NOR Flash
標準: Common Flash Interface (CFI)
工廠包裝數量: 1104
子類別: Memory & Data Storage
