6. 短路保護和過溫保護:可避免燒 LED 的情況。
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本次研制的新款硅基LED采用了正偏方法,同時將LED中PN結的組合方式進行改變,成功將硅材料的光電能量轉換效率提高,進一步提升硅基LED的亮度,并降低了LED的制造成本。 對于硅材料來說,這是人類使用最廣泛的材料之一,主要使用在制造半導體器件和集成電路領域中。不過由于硅材質的特殊性,始終沒有涉及至光學領域中,所以硅基LED一直沒有實現。 發光二極管內的PN結包含一個P區和N區,這將決定二極管的發光效率。
其中,N區內充滿受激的自由電子,P區則具備帶正電荷的空穴,吸引著P區的電子。隨著電子沖入空穴,電子能級驟降,便可以釋放出能量差。 然而不同的半導體材料具備不同的電子和空穴的能量,因此所釋放出來的能量便具備一定的差異。 目前應用較為普遍的氮化鎵、砷化鎵等材料屬于直接帶隙材料,常用于LED中,它的導帶最小值和價帶最大值具有同一電子動量,導帶底的電子與價帶頂的空穴可以通過輻射復合而發光,復合幾率大,發光效率高。 而硅作為一種間接帶隙半導體材料,其導帶最小值和價帶最大值的動量值不同,它更傾向于將能量轉化為熱,而不是光,所以其轉換速度和效率都不如其他材料。
而在今年,荷蘭埃因霍芬理工大學Erik Bakkers領導的研究團隊采用VLS生長納米硅線成功研制一種新型的硅鍺合金發光材料,成功改善上述問題,并且通過該材料研制出一款能夠集成到現有芯片中的硅基激光器。該款激光器的研制成功,可能會在未來大幅降低數據傳輸的成本,并提高效率。 而本次麻省理工團隊進一步提升了硅材質的使用概率,提出了一種N區和P區的新型連接方法,將N區和P區從傳統的并列排放改為垂直疊放,讓二極管內的電子及空穴遠離表面和邊緣區域,防止電子將電能轉換為熱量,從而提高發光效率。
FP7183恆流輸出:IC內部有快速回授機制,輸出電流不受電感量、輸入電壓與輸出LED電壓影響。FP7183XR-G1FP7182XR-G1FP7176DX-G1FP7175XR-G1 FP6296XR-G1