6.短路保護和過溫保護：可避免燒LED的情況。
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本次研制的新款硅基LED采用了正偏方法，同時將LED中PN結的組合方式進行改變，成功將硅材料的光電能量轉換效率提高，進一步提升硅基LED的亮度，并降低了LED的制造成本。 對于硅材料來說，這是人類使用最廣泛的材料之一，主要使用在制造半導體器件和集成電路領域中。不過由于硅材質的特殊性，始終沒有涉及至光學領域中，所以硅基LED一直沒有實現。 發光二極管內的PN結包含一個P區和N區，這將決定二極管的發光效率。
其中，N區內充滿受激的自由電子，P區則具備帶正電荷的空穴，吸引著P區的電子。隨著電子沖入空穴，電子能級驟降，便可以釋放出能量差。 然而不同的半導體材料具備不同的電子和空穴的能量，因此所釋放出來的能量便具備一定的差異。 目前應用較為普遍的氮化鎵、砷化鎵等材料屬于直接帶隙材料，常用于LED中，它的導帶最小值和價帶最大值具有同一電子動量，導帶底的電子與價帶頂的空穴可以通過輻射復合而發光，復合幾率大，發光效率高。 而硅作為一種間接帶隙半導體材料，其導帶最小值和價帶最大值的動量值不同，它更傾向于將能量轉化為熱，而不是光，所以其轉換速度和效率都不如其他材料。
而在今年，荷蘭埃因霍芬理工大學Erik Bakkers領導的研究團隊采用VLS生長納米硅線成功研制一種新型的硅鍺合金發光材料，成功改善上述問題，并且通過該材料研制出一款能夠集成到現有芯片中的硅基激光器。該款激光器的研制成功，可能會在未來大幅降低數據傳輸的成本，并提高效率。 而本次麻省理工團隊進一步提升了硅材質的使用概率，提出了一種N區和P區的新型連接方法，將N區和P區從傳統的并列排放改為垂直疊放，讓二極管內的電子及空穴遠離表面和邊緣區域，防止電子將電能轉換為熱量，從而提高發光效率。
FP7183恆流輸出：IC內部有快速回授機制，輸出電流不受電感量、輸入電壓與輸出LED電壓影響。FP7183XR-G1FP7182XR-G1FP7176DX-G1FP7175XR-G1 FP6296XR-G1
