一般說明：S29GL256P10TFI010
賽普拉斯S29GL01G / 512/S29GL256P10TFI010/ 128P是基于90 nm工藝技術制造的Mirrorbit®Flash產品。這些設備提供25 ns的快速頁面訪問時間，以及高達90 ns的相應隨機訪問時間。它們具有一個寫緩沖區一次操作最多可以編程32個字/ 64字節，從而比標準編程算法。因此，這些設備非常適合當今需要更高密度，更好的性能和更低的功耗。

特色：S29GL256P10TFI010
單個3V讀/編程/擦除（2.7-3.6 V）
增強的VersatileI / O™控制
–所有輸入級別（地址，控制和DQ輸入級別）和
輸出由VIO輸入上的電壓決定。 VIO范圍是1.65
到VCC
90 nm MirrorBit處理技術
8字/ 16字節頁面讀取緩沖區
32字/ 64字節寫緩沖區可減少用于
多字更新
安全的硅片區域
– 128字/ 256字節扇區，用于永久，安全地識別
通過一個8字/ 16字節隨機電子序列號
–可以在工廠或通過編程編程并鎖定
顧客
統一的64 Kword / 128 KB扇區結構
– S29GL01GP：124個扇區
– S29GL512P：512個扇區
– S29GL256P：256個扇區
– S29GL128P：一百二十八個扇區
每個扇區通常有100,000個擦除周期
典型的20年數據保留
提供的套餐
– 56引腳TSOP
– 64球強化BGA
暫停和恢復命令以進行編程和擦除
運作
寫入操作狀態位指示編程和擦除操作
完成
解鎖旁路編程命令以減少編程時間
支持CFI（通用閃存接口）
高級扇區保護的持久性和密碼方法
WP＃/ ACC輸入
–加快編程時間（應用VHH時），從而延長編程時間
系統生產期間的吞吐量
–保護第一個或最后一個扇區，無論扇區保護如何
設定
硬件重置輸入（RESET＃）重置設備
Ready / Busy＃輸出（RY / BY＃）檢測到編程或擦除周期
完成

制造商:S29GL256P10TFI010
Cypress Semiconductor
產品種類:
NOR閃存
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TSOP-56
系列:
S29GL-P
存儲容量:
256 Mbit
接口類型:
Parallel
組織:
32 M x 8
定時類型:
Asynchronous
數據總線寬度:
8 bit
電源電壓-最小:
2.7 V
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電流—最大值:
110 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
封裝:
Tray
存儲類型:
NOR
速度:
100 ns
結構:
Sector
商標:
Cypress Semiconductor
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
NOR Flash
工廠包裝數量:
91
子類別:
Memory & Data Storage
單位重量:
400 mg