一般說明：W29N02GVSIAA
W29N02GVSIAA（2G位）NAND閃存為具有以下功能的嵌入式系統提供了一種存儲解決方案：有限的空間，引腳和電源。它是對RAM，固態應用程序和存儲進行代碼影子的理想選擇媒體數據，例如語音，視頻，文本和照片。該器件采用2.7V至3.6V單電源供電該電源在3V時的有源電流消耗低至25mA，而CMOS待機電流則為10uA。存儲器陣列總計276,824,064字節，并被組織為135,168字節的2,048個可擦除塊。每個塊包含64個可編程頁面，每個頁面2112字節。每頁包含2,048字節用于主數據存儲區和64字節用于備用數據區（備用區通常用于錯誤管理功能）。
W29N02GVSIAA使用多路復用的8位總線支持標準NAND閃存接口。傳輸數據，地址和命令指令。五個控制信號CLE，ALE，＃CE，＃RE和#WE處理總線接口協議。此外，該設備還有另外兩個信號引腳#WP（寫保護）和RY /＃BY（就緒/忙碌）以監視設備狀態。
2.特點：W29N02GVSIAA
基本功能
–密度：2Gbit（單芯片解決方案）
– Vcc：2.7V至3.6V
–總線寬度：x8
–工作溫度
工業級：-40°C至85°C
單層單元（SLC）技術。
組織
–密度：2G位/ 256M字節
- 頁面大小
2,112字節（2048 + 64字節）
–塊大小
64頁（128K + 4K字節）
最高性能
–讀取性能（最大）
隨機讀取：25us
順序讀取周期：25ns
–寫擦除性能
頁面編程時間：250us（典型值）
塊擦除時間：2ms（典型值）
–續航100,000次擦除/程序
周期數（1）
– 10年數據保留
命令集
–標準NAND命令集
–額外的命令支持
順序緩存讀取
隨機緩存讀取
緩存程序
復制回來
兩架飛機
–聯系Winbond獲得OTP功能
–聯系Winbond以獲取塊鎖定功能
最低功耗
–讀取：25mA（典型值）
–編程/擦除：25mA（典型值）
– CMOS待機：10uA（典型值）
節省空間的包裝
– 48引腳標準TSOP1
– 63球VFBGA
–聯系華邦以獲得堆疊包裝/ KGD
制造商:W29N02GVSIAA
Winbond
產品種類:
NAND閃存
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TSOP-48
系列:
W29N02GV
存儲容量:
2 Gbit
接口類型:
Parallel
組織:
256 M x 8
數據總線寬度:
8 bit
電源電壓-最小:
2.7 V
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電流—最大值:
35 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
商標:
Winbond
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
NAND Flash
工廠包裝數量:
96
子類別:
Memory & Data Storage
