a" data-cycle-center-horz="true" data-cycle-timeout="10000" cookie-tracking="ref_page_type=SP;ref_page_sub_type=PH;ref_page_id=%7B653AFE58-854E-4F64-94A1-BCDF52BC4944%7D;ref_page_event=Supplier%20Link;header_flag=link" style="margin-bottom:25px;font-family:Arial, Helvetica, sans-serif, dk;white-space:normal;position:relative;"> 1200 V GenX4™XPT™IGBT IXYS的IGBT具有降低的熱阻，低能量損耗，快速開關和大電流功能

IXYS是Littelfuse技術，專有的XPT™（超輕型穿通）薄晶圓技術和第4代（GenX4™）Trench IGBT，具有降低的熱阻，低能量損耗和快速開關的特性。這些器件還具有高電流能力，該能力來自于集電極到發射極的正溫度系數，使設計人員可以并行使用多個器件來滿足較高的電流要求和較低的柵極電荷，從而有助于降低柵極驅動器要求和開關損耗。

特征 VCE（sat）的正熱系數 低Vsat，低Eon/ Eoff，高浪涌電流能力 低尾電流 應用領域 電力逆變器 電池充電器 馬達驅動