功能說明：FM25V02A-GTR
FM25V02A-GTR是一個256-Kbit非易失性存儲器，采用了先進的鐵電工藝。 F-RAM是非易失性的，執行類似于RAM的讀取和寫入。它提供了可靠的保留了151年的數據，同時消除了復雜性，串行引起的開銷和系統級可靠性問題閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器。與串行閃存和EEPROM不同，FM25V02A-GTR執行寫操作以公交車速度運行。沒有寫入延遲。數據是每個字節后立即寫入存儲器陣列成功轉移到設備。下一個公交周期可以無需進行數據輪詢即可開始。除此之外與其他產品相比，該產品具有可觀的書寫耐力非易失性存儲器。FM25V02A-GTR能夠支持1014個讀/寫周期，或多一億倍的寫周期比EEPROM。這些功能使FM25V02A-GTR非常適合非易失性需要頻繁或快速寫入的內存應用程序。示例包括數據記錄，寫次數周期對于要求嚴格的工業控制至關重要，串行閃存或EEPROM的長時間寫入會導致數據丟失。
FM25V02A-GTR為串行用戶提供了很多好處EEPROM或閃存作為硬件的替代品。FM25V02A-GTR使用高速SPI總線，可增強F-RAM技術的高速寫入能力。設備包含一個只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產品密度和產品修訂。設備規格在工業溫度范圍為–40C至+85C。

特征：FM25V02A-GTR
■256 Kb鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）
邏輯組織為32K×8
❐高耐用性100萬億（1014）讀/寫
❐151年的數據保留（請參閱數據保留和
耐力表）
De NoDelay™寫道
❐先進的高可靠性鐵電工藝
■非常快速的串行外圍設備接口（SPI）
frequency最高40 MHz的頻率
❐直接更換串行閃存和EEPROM的硬件
❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■復雜的寫保護方案
using使用寫保護（WP）引腳進行硬件保護
using使用禁止寫入指令進行軟件保護
❐針對1 / 4、1 / 2或整個陣列的軟件塊保護
■設備ID
❐制造商ID和產品ID
■低功耗
40 2.5 MHz時的有效電流為40 MHz
❐150-A待機電流
❐8-A睡眠模式電流
■低壓操作：VDD = 2.0 V至3.6 V
■工業溫度：–40C到+85C
■包裝
❐8引腳小尺寸集成電路（SOIC）封裝
❐8引腳雙扁平無引線（DFN）封裝
■符合有害物質限制（RoHS）

制造商:FM25V02A-GTR
Cypress Semiconductor
產品種類:
F-RAM
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOIC-8
存儲容量:
256 kbit
接口類型:
SPI
組織:
32 k x 8
電源電壓-最小:
2 V
電源電壓-最大:
3.6 V
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
系列:
FM24V02
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
商標:
Cypress Semiconductor
濕度敏感性:
Yes
工作電源電壓:
3.3 V
產品類型:
FRAM
工廠包裝數量:
2500
子類別:
Memory & Data Storage
單位重量:
37 mg