功能概述：FM25640B-GTR
FM25640B-GTR是采用先進鐵電工藝的64-Kbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執行與RAM類似的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。
與串行閃存和EEPROM不同，FM25640B-GTR以總線速度執行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數據輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有顯著的寫入耐久性。FM25640B-GTR能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多一億倍的寫周期。
這些功能使FM25640B-GTR非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。示例包括數據收集（可能是關鍵的寫周期數）到苛刻的工業控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長寫入時間會導致數據丟失。
FM25640B-GTR為串行EEPROM或閃存用戶提供了巨大的好處，可作為硬件的替代產品。FM25640B-GTR使用高速SPI總線，從而增強了F-RAM技術的高速寫入能力。在–40°C至+85°C的工業溫度范圍內保證器件的規格。

特征：FM25640B-GTR
邏輯組織為8 K×8的64 Kb鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）
高耐用性100萬億（1014）讀/寫
151年數據保留（請參閱數據保留和持久性表）
NoDelay™寫道
先進的高可靠性鐵電工藝
快速串行外設接口（SPI）
頻率高達20 MHz
直接硬件替換串行閃存和EEPROM
支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
復雜的寫保護方案
使用寫保護（WP）引腳的硬件保護
使用禁止寫入指令的軟件保護
適用于1 / 4、1 / 2或整個陣列的軟件塊保護
低功耗
1 MHz時250μA有功電流
4μA（典型值）待機電流
電壓工作：VDD = 4.5 V至5.5 V
工業溫度：–40°C至+85°C
8引腳小尺寸集成電路（SOIC）封裝
符合有害物質限制（RoHS）

制造商:FM25640B-GTR
Cypress Semiconductor
產品種類:
F-RAM
RoHS:
詳細信息
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
系列:
FM25640B-G
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
商標:
Cypress Semiconductor
濕度敏感性:
Yes
工作電源電壓:
5 V
產品類型:
FRAM
工廠包裝數量:
2500
子類別:
Memory & Data Storage
單位重量:
7.300 mg