本章概述了2Gbit雙數據速率三（DDR3）SDRAM組件產品，以及
描述其主要特征。
2Gbit DDR3 SDRAM提供以下主要功能：
•VDD和VDDQ的1.5 V±0.075 V電源電壓
向后兼容VDD = VDDQ = 1.35 V（1.283V1.45V）
•數據速率：1066Mbps / 1333Mbps / 1600Mbps
•具有×8數據輸入/輸出的SDRAM配置
頁面大小：1 KB頁面大小
行地址：A0至A14
列地址：A0至A9
•具有×16數據輸入/輸出的SDRAM配置
頁面大小：2 KB頁面大小
行地址：A0至A13
列地址：A0至A9
•異步RESET＃
•讀寫命令的自動預充電操作
•刷新，自刷新和省電
模式;自動自刷新（ASR）和部分數組自
刷新（PASR）
•支持并發自動預充電功能
•TCASE低于85°C時的平均刷新周期為7.8μs，
在85°C至95°C之間為3.9μs，在TCASE下為1.95μs
高于95°C。
•用于寫操作的數據掩碼功能
•可以在每個時鐘正沿輸入命令
•數據和數據掩碼分別引用到
差分數據選通對（雙倍數據速率）
•CAS延遲（CL）：5、6、7、8、9、10、11、12、13
•發布的CAS具有可編程的附加延遲（AL = 0，
CL–1和CL–2）用于改進命令，地址和
數據總線效率
•讀取延遲RL = AL + CL
•每次操作的可編程CAS寫入延遲（CWL）
頻率：5、6、7、8、9、10
•寫延遲WL = AL + CWL
•連拍長度8（BL8）和連拍斬4（BC4）模式：固定
通過模式寄存器（MRS）或可選的即時（OTF）
•可編程讀取突發順序：交錯或
順序的
•多用途寄存器（MPR），用于讀取非內存
相關信息
•通過寫均衡支持系統級時序校準
和MPR讀取模式
•差分時鐘輸入（CK和CK＃）
•雙向差分數據選通對（DQS和
DQS＃）與數據一起發送/接收。邊緣對齊
具有讀取數據并與寫入數據居中對齊
•DLL對齊傳輸的讀取數據和選通脈沖對轉換
帶時鐘
•數據，數據的可編程片上終止（ODT）
屏蔽和差分頻閃對
•動態ODT模式，可改善寫入過程中的信號完整性和預選的端接阻抗
•用于輸出驅動器和片內匹配的ZQ校準
使用外部參考電阻接地
•驅動強度：RZQ / 7，RZQ / 6（RZQ = 240Ω）
•工作溫度范圍（TCASE）
–商業（0°C至95°C）
–工業，I（-40°C至95°C）
–汽車，A1（-40°C至125°C）
A2（-40°C至105°C）
A3（-40°C至95°C）
–高電阻，X（-55°C至125°C）
•無鉛和無鹵素包裝：
PG-TFBGA-78用于x8組件
PG-TFBGA-96用于x16組件
詳細參數：SCB15H2G160AF-13K
參數名稱參數值
生命周期聯系制造商
IHS制造商XIAN UNILC SEMICONDUCTORS CO LTD
包裝說明
達到合規性代碼未知
風險等級5.81
訪問模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性自動/自刷新
JESD-30代碼R-PBGA-B96
長度13毫米
內存密度2147483648位
內存集成電路類型DDR DRAM
內存寬度16
功能數量1
運輸數量1
端子數量96
字數134217728詞
字數代碼128000000
工作模式
最高工作溫度95°C
最低工作溫度
組織128MX16
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼TFBGA
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，薄型輪廓，精細間距
座面最大高度1.2毫米
自我刷新是
最大電源電壓（Vsup）1.575 V
最小電源電壓（Vsup）1.425 V
標稱電源電壓（Vsup）1.5 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級OTHER
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM
寬度9毫米
