本章概述了1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM產品系列，并介紹了其主要功能。
特征。
1Gb雙數據速率兩個SDRAM具有以下主要功能：
•1.8 V±0.1 V電源
1.8 V±0.1 V（SSTL_18）兼容I / O
•具有x8，x16數據輸入/輸出的DRAM組織
•八個內部銀行可同時運行
•可編程CAS延遲：3、4、5、6、7
•可編程的突發長度：4和8
•差分時鐘輸入（CK和CK）
•雙向差分數據選通（DQS和DQS）是
發送/接收數據。邊緣與讀取對齊
數據并與寫入數據居中對齊。
•DLL使DQ和DQS轉換與時鐘對齊
•可以禁用DQS進行單端數據選通
手術
•在每個時鐘正沿輸入的命令，數據和
數據掩碼參考DQS的兩個邊緣
•用于寫入數據的數據掩碼（DM）
•通過可編程的附加延遲發布CAS，以獲得更好的
命令和數據總線效率
•片外驅動器阻抗調整（OCD）和
裸片終端（ODT）可提供更好的信號質量
•自動預充電操作，用于讀取和寫入突發
•自動刷新，自刷新和省電掉電模式
•工作溫度范圍（TCASE）
–商業（0°C至95°C）
–工業，I（-40°C至95°C）
–汽車級3，A3（-40°C至95°C）
•TCASE較低時平均刷新周期為7.8μs
高于105°C，在105°C和125°C之間為3.9μs
•通過EMRS2設置的可編程自刷新率
•完整和降低強度的數據輸出驅動器
•×8的頁面大小為1KB，×16的頁面大小為2KB
•包裝：用于x8的PG-TFBGA-60和用于x8的PG-TFBGA-84
x16
注意：溫度較低時可使用“自我刷新模式”
僅在105°C（Tcase）以上。
詳細參數：SCB18T1G160AF-25DI
參數名稱參數值
生命周期聯系制造商
IHS制造商XIAN UNILC SEMICONDUCTORS CO LTD
包裝說明
達到合規性代碼未知
風險等級5.84
訪問模式MULTI BANK PAGE BURST
最長訪問時間0.4 ns
其他特性自動/自刷新
JESD-30代碼R-PBGA-B84
長度12.5毫米
內存密度1073741824位
內存集成電路類型DDR DRAM
內存寬度16
功能數量1
運輸數量1
端子數量84
字數67108864字
字數代碼64000000
工作模式
最高工作溫度95°C
最低工作溫度-40°C
組織64MX16
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼TFBGA
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，薄型輪廓，精細間距
座面最大高度1.2毫米
自我刷新是
最大電源電壓（Vsup）1.9 V
最小電源電壓（Vsup）1.7 V
標稱供電電壓（Vsup）1.8 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級工業
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM
寬度8毫米
