描述：NDT2955
NDT2955：P增益增強型場效應晶體管，-60V，-2.5A，300mΩ
此后60V P內置MOSFET是使用Fairchild Semiconductor的高壓溝槽工藝生產的。此產品非常適用于電源管理應用。

特性：NDT2955
-2.5A，-60V
RDS（開）=300mΩ@ VGS = -10V
RDS（ON）=500mΩ@ VGS = -4.5V
高密度單元設計可實現極低的RDS（ON）
高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝。

應用：NDT2955
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。
DC / DC轉換器
能源管理

制造商:NDT2955
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-223-4
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
2.5 A
Rds On-漏源導通電阻:
95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.8 mm
長度:
6.5 mm
系列:
NDT2955
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
3.5 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
5.5 S
下降時間:
6 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
10 ns
工廠包裝數量:
4000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
19 ns
典型接通延遲時間:
12 ns
零件號別名:
NDT2955_NL
單位重量:
112 mg