描述：FDV302P
FDV302P：數字FET，P長度，-25V，-0.12A，10Ω
此P高邏輯密度增強型場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS專有技術生產的。這種極高密度工藝特別適用于最大程度降低導通電阻。 因為無需增加電阻，所以此單P FET可以替代多個具有各種電阻的數字晶體管，如DTCx和DCDx系列。

特性：FDV302P
-25V，-0.12A（連續值），-0.5A（持續）RDS（ON）= 13Ω@ VGS = -2.7 V，RDS（ON）= 10Ω@ VGS = -4.5V。
電壓驅動可以要求極低，從而可在3V電路中直接運行。VGS（th）<1.5V。
> 6kV人體模型。柵-源齊納二極管增強耐靜電放電（ESD）能力。
精密型工業標準SOT-23表面貼裝封裝。
用一個DMOS FET替代多個PNP數字晶體管（DTCx和DCDx）。
應用
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。

制造商:FDV302P
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
25 V
Id-連續漏極電流:
120 mA
Rds On-漏源導通電阻:
13 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
350 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.2 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDV302P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.3 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
0.135 S
下降時間:
8 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
8 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
9 ns
典型接通延遲時間:
5 ns
零件號別名:
FDV302P_NL
單位重量:
30 mg