N和P通道40 V（D-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％的Rg和UIS測試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
•電機驅動
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導通電阻: 24 mOhms, 27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V, 1.2 V
Qg-柵極電荷: 13.3 nC, 41.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W, 3.2 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SI4
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 25 S, 27 S
下降時間: 7 ns, 13 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns, 10 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 16 ns, 50 ns
典型接通延遲時間: 5 ns, 10 ns
單位重量: 750 mg
