一般說明:FDC6321C
這些雙N＆P通道邏輯電平增強模式使用ON生產場效應晶體管半導體專有的高單元密度DMOS技術。這個非常高密度的過程尤其專為最小化導通電阻而設計。該設備具有專為低壓應用而設計替代負載開關中的數字晶體管應用程序。由于不需要偏置電阻，因此該雙數字FET可以用不同的偏置電阻。

特征:FDC6321C
絕對最大額定值TA= 25oC，除非另有說明
符號參數N通道P通道單位
VDSS，VCC漏源電壓，電源電壓25 -25 V
VGSS，VIN柵極-源極電壓，8 -8 VID
，IO漏極/輸出電流-連續0.68 -0.46 A-脈沖2 -1.5
PD最大功耗（注1a）（注1b）0.9瓦0.7TJ，TSTG操作和存儲溫度范圍-55至150°C
ESD靜電放電等級MIL-STD-883D
人體模型（100pf / 1500歐姆）6千伏熱特性
RqJA熱阻，結至環境溫度（注1a）140°C / W
RqJC熱阻，結到外殼（注1）60°C / W
出版物訂單號：
FDC6321C / D
N-Ch 25 V，0.68 A，RDS（ON）= 0.45 W @ VGS = 4.5 V
P-Ch -25 V，-0.46 A，RDS（ON）= 1.1 W @ VGS = -4.5 V.
極低水平的柵極驅動要求，允許直接
在3 V電路中運行。 VGS（th）<1.0V。
柵源齊納二極管具有ESD耐用性。
> 6kV人體模型
更換多個雙NPN和PNP數字晶體管

制造商:FDC6321C
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-6
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
25 V
Id-連續漏極電流:
680 mA, 460 mA
Rds On-漏源導通電阻:
450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
900 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDC6321C
晶體管類型:
1 N-Channel, 1 P-Channel
類型:
FET
寬度:
1.6 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
1.45 S, 0.8 S
下降時間:
8 ns, 9 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
8 ns, 9 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
17 ns, 55 ns
典型接通延遲時間:
3 ns, 7 ns
零件號別名:
FDC6321C_NL
單位重量:
30 mg