一般說明：FQA70N10
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻，

提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源

應用.

特性:FQA70N10
70A, 100V, RDS(on) = 23mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 35A柵極電荷低（典型值：85nC)
低 Crss（典型值150pF)
100% 經過雪崩擊穿測試
175°C最大結溫額定值"
175°C最高結溫額定值

應用:FQA70N10

不間斷電源
其他工業
開關電源
音頻放大器
直流電動機控制
可變開關電源應用

制造商:FQA70N10
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-3PN-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
Id-連續漏極電流:
70 A
Rds On-漏源導通電阻:
25 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
214 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
QFET
封裝:
Tube
高度:
20.1 mm
長度:
16.2 mm
系列:
FQA70N10
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
5 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
48 S
下降時間:
160 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
470 ns
工廠包裝數量:
450
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
130 ns
典型接通延遲時間:
30 ns
零件號別名:
FQA70N10_NL
單位重量:
6.401 g