描述：TK20A60U

東芝場效應晶體管硅N溝道MOS型（DTMOS II開關穩壓器應用
•低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.165Ω（典型值）
•高前向傳輸導納：⎪Yfs⎪= 12 S（典型值）
•低泄漏電流：IDSS = 100μA（最大值）（VDS = 600 V）
•增強模式：Vth = 3.0至5.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

制造商:TK20A60U
Toshiba
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導通電阻:
190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
45 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
DTMOSIV
封裝:
Tray
高度:
15 mm
長度:
10 mm
系列:
TK20A60U
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.5 mm
商標:
Toshiba
下降時間:
12 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
40 ns
工廠包裝數量:
50
子類別:
MOSFETs