一般說明：FDMC510P
該P溝道MOSFET使用ON生產半導體的先進PowerTrench®工藝具有針對rDS（ON），開關性能和堅固耐用。

應用領域：FDMC510P
電池管理
負荷開關

特征：FDMC510P
在VGS = -4.5 V，ID = -12 A時最大rDS（on）= 8.0mΩ
在VGS = -2.5 V，ID = -10 A時最大rDS（on）= 9.8mΩ
在VGS = -1.8 V，ID = -9.3 A時最大rDS（on）= 13mΩ
在VGS = -1.5 V，ID = -8.3 A時最大rDS（on）= 17mΩ
„高性能溝槽技術，可實現極低的rDS（on）
高功率和電流處理能力在廣泛使用中表面貼裝
„經過100％UIL測試
„終端無鉛且符合RoHS要求
„ HBM ESD能力等級> 2 KV（典型值）（注4）

制造商:FDMC510P
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
Power-33-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
18 A
Rds On-漏源導通電阻:
8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
41 W
配置:
Single
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.8 mm
長度:
3.3 mm
系列:
FDMC510P
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
3.3 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
單位重量:
165.330 mg