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NST65010MW6T1G

發布時間:2021/2/1 14:07:00 訪問次數:199 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

NST65010MW6T1G



造商: ON Semiconductor
產品類型: 雙極結晶體管 - BJT
RoHS: 詳細資料
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-363-6
晶體管極性: PNP
配置: Dual
集電極-發射極最大電壓VCEO: - 65 V
集電極-基極電壓VCBO: - 80 V
發射機-基極電壓VEBO: - 5 V
集電極-發射極飽和電壓: - 300 mV
集電極最大直流電流: - 100 mA
Pd - 功率消耗 : 380 mW
增益帶寬積 fT: 100 MHz
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
技術: Si
品牌: ON Semiconductor
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
每件重量: 7.500 mg


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