描述:IRF640PBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了具有快速切換最佳組合的設計師，堅固的設備設計，低導通電阻和成本效益。TO-220AB封裝普遍適用于所有功耗下的商業應用級別約為50W。低熱阻TO-220AB的低包裝成本有助于其在整個行業得到廣泛認可。
特征:IRF640PBF
•動態dV / dt額定值
•重復雪崩等級
•快速切換
•易于并聯
•簡單的驅動器要求
•物料分類：用于符合性的定義
制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220AB-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續漏極電流:3.3 A
Rds On-漏源導通電阻:1.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:8.2 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:36 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:15.49 mm
長度:10.41 mm
系列:IRF
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.7 mm
商標:Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值:0.8 S
下降時間:8.9 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:17 ns
工廠包裝數量:50
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:14 ns
典型接通延遲時間:8.2 ns
單位重量:6 g
