特征描述：IPP023N08N5
針對同步整流進行優化非常適合高開關頻率
輸出電容降低高達44％
R DS（on）降低高達44％
高系統效率
降低開關和通態損耗
減少平行
增加功率密度
低電壓過沖
通信
服務器
太陽能
低壓驅動器
輕型電動車
適配器
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 133 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 100 S
下降時間: 20 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 62 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
零件號別名: IPP023N08N5 SP001132482
單位重量: 6 g
