描述：IPA60R650CE

CoolMOS™CE適用于硬開關應用和軟開關應用，作為現代超結，它可以提供低導通和低開關損耗，細長提高效率并最終降低功耗。600V，650V和700V CoolMOS™CE結合了最佳 的R DS（上）和封裝，適用于手機和平板電腦的低功耗充電器。

特征描述：IPA60R650CE

典型R DS（上）和最大R DS（上）之間的邊距較窄
減少了儲存在輸出電容中的能量（Eoss）
體二極管穩健性良好，反向恢復結晶（Q rr）最低

經過優化的集成R g

優勢：IPA60R650CE
低通態損耗
低開關損耗
兼具硬開關和軟開關
易掌控的轉換行為
提高效率，高血壓
完善設計工作量

使用適當

潛在應用：IPA60R650CE
筆記本電腦和筆記本電腦適配器
低優勢充電器
照明

液晶和LED電視

IPA60R650CE

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 7 A
Rds On-漏源導通電阻: 650 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 20.5 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 28 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
配置: Single
高度: 16.15 mm
長度: 10.65 mm
系列: CoolMOS CE
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.85 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 11 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 58 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: IPA60R650CE SP001276044
單位重量: 2.300 g