描述：IPW60R120P7
優化超結MOSFET兼具高能效和易用性第7代CoolMOS™平臺具有同類中出色的600V CoolMOS™P7超結（SJ）MOSFET是600V CoolMOS™P6系列的后續產品。該產品繼續在設計過程中的高效率與易用性之間保持平衡。的R onxA和固有的低分子量摻雜（QG），確保高效率。
特征描述：IPW60R120P7
效率
600V P7支持卓越FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G
使用方便
集成ESD二極管，從180mN起且高于R DS（on）
集成石墨電阻器R G
堅固體二極管
涵蓋通孔和表面封裝的豐富產品線
標準級和工業級零件能否選擇
優勢：IPW60R120P7
效率
優秀FOM R DS（on）xQ G / R DS（on）xE oss，實現更高的效率
使用方便
避免ESD故障，在制造環境中確保易用性
集成R G降低MOSFET振蕩敏感度
MOSFET適用于PFC和LLC等硬開關拓撲和諧振開關拓撲
在LLC失真中體二極管通信中具有卓越穩健性
廣泛適用于各種終端應用和輸出功率
任選零件適用于消費和工業應用
潛在應用：IPW60R120P7
電視電源
工業SMPS
服務器
通信
照明
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 26 A
Rds On-漏源導通電阻: 100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 36 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 95 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
配置: Single
系列: CoolMOS P7
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Infineon Technologies
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
工廠包裝數量: 240
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 81 ns
典型接通延遲時間: 21 ns
零件號別名: IPW60R120P7 SP001658382
單位重量: 6 g
