一般說明：IS42S32200L-7TLI
64Mb SDRAM是高速CMOS，動態設計用于3.3V的隨機存取存儲器包含67,108,864位的存儲系統。內部地配置為具有同步功能的四排DRAM接口。每個16,777,216位的存儲區組織為2,048按256列乘32位。64Mb SDRAM包括一個自動刷新模式，以及省電，掉電模式。所有信號都是在時鐘信號CLK的上升沿上寄存。所有輸入和輸出均兼容LVTTL。64Mb SDRAM具有同步爆發的能力自動列地址以高數據速率傳輸數據產生，在內部銀行之間交錯的能力隱藏預充電時間和隨機選擇的能力在此期間的每個時鐘周期更改列地址突發訪問。
特征：IS42S32200L-7TLI
•時鐘頻率：200、166、143、133 MHz
•完全同步；所有參考正時鐘邊沿的信號
•內部銀行，用于隱藏行訪問/預付費
•3.3V單電源
•LVTTL接口
•可編程突發長度：（1、2、4、8，整頁）
•可編程突發序列：順序/交錯
•自刷新模式
•每16ms（A2級）或64ms（Commercia，工業級，A1級）每4096個刷新周期
•每個時鐘周期的隨機列地址
•可編程的CAS延遲（2、3個時鐘）
•突發讀/寫和突發讀/單寫操作功能
•通過猝發停止和預充電命令終止猝發
選項
•封裝：86引腳TSOP-II90球TF-BGA
•工作溫度范圍：商業級（0oC至70oC）工業級（-40oC至85oC）汽車級A1（-40oC至85oC）汽車級A2：（-40oC至105oC）
制造商:ISSI
產品種類:動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型:SDRAM
數據總線寬度:32 bit
組織:2 M x 32
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TSOP-86
存儲容量:64 Mbit
最大時鐘頻率:143 MHz
訪問時間:5.4 ns
電源電壓-最大:3.6 V
電源電壓-最小:3 V
電源電流—最大值:90 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
系列:IS42S32200L
封裝:Tray
商標:ISSI
濕度敏感性:Yes
工作電源電壓:3.3 V
產品類型:DRAM
工廠包裝數量:108
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:560 mg
