ISSI的256Mb DDR2 SDRAM使用雙倍數據速率架構實現高速運行。的雙數據速率架構本質上是4n預取架構，其接口設計為可傳輸兩個I / O球上每個時鐘周期的數據字。
特征：IS43DR16160B-3DBLI
•Vdd = 1.8V±0.1V，Vddq = 1.8V±0.1V
•JEDEC標準1.8V I / O（與SSTL_18兼容）
•雙倍數據速率接口：每時鐘周期兩次數據傳輸
•差分數據選通（DQS，DQS）
•4位預取架構
•片上DLL，用于將DQ和DQS轉換與CK對齊
•4個內部銀行可同時運行
•支持可編程的CAS延遲（CL）3、4、5、6和7
•已發布的CAS和可編程的附加延遲（AL）支持0、1、2、3、4、5和6
•寫延遲=讀延遲-1 tCK
•可編程突發長度：4或8
•可調的數據輸出驅動強度，完全和減小的強度選項
•片上終止（ODT）
選項•配置：
16Mx16（4Mx16x4個存儲區）IS43 / 46DR16160B
•包裝：
84球TW-BGA（8毫米x 12.5毫米）
時間-周期時間
2.5ns @ CL = 5 DDR2-800D
2.5ns @ CL = 6 DDR2-800E
3.0ns @ CL = 5 DDR2-667D
3.75ns @ CL = 4 DDR2-533C
5.0ns @ CL = 3 DDR2-400B
• 溫度范圍：
商業（0°C≤Tc≤85°C）
工業（-40°C≤Tc≤95°C; -40°C≤Ta≤85°C）
汽車，A1（-40°C≤Tc≤95°C; -40°C≤Ta≤85°C）
汽車，A2（-40°C≤Tc; Ta≤105°C）
Tc =外殼溫度，Ta =環境溫度
制造商:ISSI
產品種類:動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型:SDRAM - DDR2
數據總線寬度:16 bit
組織:16 M x 16
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:BGA-84
存儲容量:256 Mbit
最大時鐘頻率:333 MHz
訪問時間:450 ps
電源電壓-最大:1.9 V
電源電壓-最小:1.7 V
電源電流—最大值:120 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 95 C
系列:IS43DR16160B
封裝:Tray
商標:ISSI
濕度敏感性:Yes
工作電源電壓:1.8 V
產品類型:DRAM
工廠包裝數量:209
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:5 g
