MBRS3201T3G 正品原裝進口現貨

MBRS3201T3G 封裝：DO-214AB

MBRS3201T3G 批號：20+

MBRS3201T3G 品牌：ON/安森美

以下為公司現貨庫存，歡迎來電咨詢！


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制造商: ON Semiconductor
產品種類: 肖特基二極管與整流器
RoHS: 詳細信息
產品: Schottky Diodes
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SMC (DO-214AB)
配置: Single
技術: Si
If - 正向電流: 3 A
Vrrm - 重復反向電壓: 200 V
Vf - 正向電壓: 0.84 V
Ifsm - 正向浪涌電流: 100 A
Ir - 反向電流 : 5 uA
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: MBRS3201
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.13 mm
長度: 6.86 mm
類型: Schottky Diode
寬度: 5.84 mm
商標: ON Semiconductor
產品類型: Schottky Diodes & Rectifiers


子類別: Diodes & Rectifiers
單位重量: 300 mg

與SiC力爭新能源“制霸權” GaN-On-Si憑“兼容”之勢沖出重圍

來源：華強電子網作者：Andy時間：2021-01-29 11:16

SiC新能源GaN

盡管當前全球新能源汽車市場SiC之風日益強盛，但GaN作為SiC的“孿生”方案如今也正超速追趕，大有與SiC平分秋色之勢。當下，無論是如英飛凌、TI、聞泰這類在第三代半導體領域有相當積累的傳統半導體大廠，還是緊隨其后的國內如海威華芯、三安光電等新晉挑戰者們，都在加緊車用GaN市場的布局。而中國作為當下全球新能源汽車保有量最大國，自然也成為了GaN主流玩家們拼殺的“主場”。接下來，隨著國內新能源市場的“全線飆速”，GaN能否借助一眾追捧者之力，沖破傳統Si甚至SiC的防線，躋身新能源市場主流，備受關注。

“前浪”Si與SiC雙雄之爭尚未停歇，身為“后浪”的GaN就急匆匆想要“上位”，讓這場圍繞新能源汽車市場的“權力爭奪”好生熱鬧。的確，作為SiC的孿生方案同時也是最具殺傷力的競爭對手，GaN如今在ST、TI、英飛凌以及聞泰等一眾國際半導體巨頭勢力的助推下，于新能源市場躍躍欲試，一時風頭無兩，大有趕超SiC之勢。

誠然，這也得益于GaN自身的“天賦異稟”。德州儀器高壓電源應用產品業務部氮化鎵功率器件產品線經理Steve Tom在接受《華強電子》記者采訪時表示：“之前在進行研發的時候，我們從長遠角度考量，因為我們使用的GaN是硅基質，它的成本方面要比SiC低很多，在開關頻率表現方面，GaN可以比SiC開關頻率更快以及有更好的開關特征，包括更低的損耗，而且在可靠性方面我們也進行了很多的測試。正是由于TI對于硅可以進行大規模的生產，我們選擇了硅基氮化鎵，一是可以降低成本，二是可以進行非常大規模和可靠的生產。所以，僅從性能上綜合來看，GaN在成本、大規模量產、可靠性、開關表現方面相比SiC都會有相應的優勢。”

“TI GaN是有專門的可靠性實驗室，會針對硬開和軟開的情況都會進行非常多的可靠性測試。在硬開的時候可以將功率等級在4000瓦以上，會進行一周7×24小時的測試，并且在測試的同時進行數據采集，來判斷以及分析GaN的可靠性。”

不過，可能對于大量在硅晶圓量產領域有深厚積累的傳統半導體廠商來說，GaN的可大規模量產性以及成本可控才是真正促使他們選擇的理由，安世半導體MOS業務集團大中華區總監李東岳向《華強電子》記者解釋到：“目前雖然碳化硅起步比較早，在特斯拉牽引逆變器的應用上已經采用ST的碳化硅，但是GaN尤其是硅基氮化鎵，原材料我們使用的是硅晶圓，生產設備與很多硅晶圓廠能夠進行兼容，稍作改造即可使用，未來如果有電動汽車或者混動汽車產能快速上升的話，由于碳化硅需要非常好的材料，且生產需要專門的設備，原材料的生產也比較復雜，所以生產時間會很長，如果有快速的量增長，SiC很難去滿足市場。”

“GaN尤其是硅基氮化鎵，原材料我們使用的是硅晶圓，生產設備與很多硅晶圓廠能夠進行兼容，稍作改造即可使用，未來如果有電動汽車或者混動汽車產能快速上升的話，由于碳化硅需要非常好的材料，且生產需要專門的設備，原材料的生產也比較復雜，所以生產時間會很長，如果有快速的量增長的話，SiC很難去滿足市場。”

相比之下，GaN由于能與現有的硅基原材料和加工廠等硅基半導體產業鏈兼容，所以擴產非常靈活，可以快速滿足市場需求，李東岳認為：“長期來講，因為生產工藝甚至比MOS更簡單，所以整體成本上可以做到更有優勢。氮化鎵方面，目前我們正在開發的產品能做到900V，未來的話我們有1200V的計劃，特斯拉上面僅僅用到650V而已，已經可以滿足現有的市場需求。”

可是，從目前整體入局的企業特征來看，相比于SiC，GaN領域的玩家雖陣容強大卻頗為稀缺，當下真正能做到實際量產上市的更是屈指可數，這也成為GaN目前難以在規模上蓋過SiC風頭的最大“結癥”。究其原因，主要還是車規級GaN本身的高門檻，如材料和制造工藝上存在相當大的挑戰，新入局者都必須要直面自身在車規級器件的管理和制造經驗上不足等一系列問題。

具體來講，由于車規對GaN的要求比較高，主要體現在以下幾個方面：首先，在車載應用當中，對于功率要求變換的波動是比較大的，功率循環波動比較大的情況下，器件的參數在這個環境下要保持穩定相當困難；其次，汽車領域長期處于高震動、高濕度、高溫度的工作環境，這也就要求器件在應對熱應力和機械應力上要有非常高的可靠性；除此，汽車在裝配的過程中，體積重量以及整個制造成本上是有很嚴格的要求的，所配套帶來的車規器件要能夠滿足這種很嚴格的要求。

況且，僅極端苛刻的壽命要求這一點，就可以將很多想要入局的半導體新晉玩家拒之門外。就目前來看，工業領域對GaN器件一般只有大概五年壽命的要求，但車規級應用至少需要十五到二十年壽命要求。例如現有的650V的器件，供應商需要器件在能夠達到175度的節溫下，還能在高溫的條件下電壓能力仍然達到百分之百，這并不是普通的玩家能夠輕易做到的。

汽車對于GaN器件的要求的確是很高的，李東岳強調：“但安世半導體是一家非常有經驗的車規元器件的廠商，我們可以去優化整個的工藝和封裝去做這些事情，2021年我們是比較有信心將車規級的器件發布面市的。”

Steve Tom也表示，TI針對汽車領域的GaN-On-Si在面市之前，也經過了4000萬小時的可靠性測試：“TI GaN是有專門的可靠性實驗室，會針對硬開和軟開的情況都會進行非常多的可靠性測試。在硬開的時候可以將功率等級在4000瓦以上，會進行一周7×24小時的測試，并且在測試的同時進行數據采集，來判斷以及分析GaN的可靠性。而且，在浪涌方面也進行了很多測試，我們的器件可以承受高于720伏的浪涌，可以在過壓的時候也非常順利的進行開關。”