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IRF7389TRPBF

發布時間:2021/2/25 21:40:00 訪問次數:151 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




描述:IRF7389TRPBF

30V正極N通道和P通道HEXFET功率MOSFET,采用SO-8封裝


優勢:IRF7389TRPBF
符合RoHS
低RDS(上)
動態的dv / dt額定值
快速開關

雙N通道和P通道MOSFET


IRF7389TRPBF

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 7.3 A, 5.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 46 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Infineon / IR
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
單位重量: 540 mg

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