描述：STW12NK90Z
該設備使用SuperMESH™制成獲得的功率MOSFET技術
通過對ST井的極端優化
建立基于條帶的PowerMESH™布局。 在
除了顯著提高導通電阻
下來，要特別注意以確保非常好
dv / dt功能最苛刻
應用程序。 這樣的系列補充了ST全
高壓MOSFET的范圍包括
革命性的MDmesh™產品。
特征：STW12NK90Z
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容
■極好的制造重復性
■切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續漏極電流: 11 A
Rds On-漏源導通電阻: 880 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 113 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 230 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
系列: STW12NK90Z
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 5.15 mm
商標: STMicroelectronics
下降時間: 55 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 88 ns
典型接通延遲時間: 31 ns
單位重量: 38 g
