描述：STW12N120K5

這些超高壓N通道電源
MOSFET使用MDmesh™K5設計
基于創新專有技術的技術
垂直結構。 結果是戲劇性的
降低導通電阻和超低柵極
為需要更高功率的應用程序充電
密度高效率


特征：STW12N120K5
訂貨代碼VDS RDS（on）max。 ID PTOT
STH12N120K5-2
1200 V 0.69歐姆12 A 250 W
STP12N120K5
STW12N120K5
STWA12N120K5
全球最佳FOM（價值圖）
超低柵極電荷
經過100％雪崩測試

齊納保護

應用領域：STW12N120K5

切換應用

STW12N120K5

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: N
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Id-連續漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導通電阻: 690 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 44.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
系列: STW12N120K5
商標: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
單位重量: 6 g