CSD87333Q3D的說明
CSD873333Q3D NFET™電源塊是應用更新驅動和壓的優化設計升方案，以3.3mm×3.3mm的精細化提供高電流、效率和高速度性能。該產品針對5V驅動驅動應用進行了 優化，在與外部控制或驅動配合使用時，可在高占空比應用中提供靈活的解決方案'

CSD87333Q3D的特性
半橋電源塊
針對高占空比進行了優化
高達 24 Vin
電流8A時，系統效率達到94.7%
電流8A時，PLoss 1.5W
工作電流高達15A
高頻工作（最高1.5MHz）
高密度小尺寸無密度(SON) 3.3mm × 3.3mm 封裝
針對 5V 驅動進行了優化
開關耗低
超低電感電容
符合 RoHS 環保標準
無鹵
無鉛鍍層’

CSD87333Q3D

制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 15 A
Rds On-漏源導通電阻: 14.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 3.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1 mm
長度: 3.3 mm
系列: CSD87333Q3D
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標: Texas Instruments
正向跨導 - 最小值: 43 S
下降時間: 2.2 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.9 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 9.4 ns
典型接通延遲時間: 2.1 ns
單位重量: 20.600 mg