描述：CSD23381F4
該150mΩ，12 V P通道FemtoFET™MOSFET經過設計和優化，可最大程度減少許多手持式和移動應用中的占板面積。 這項技術能夠替代標準的小信號MOSFET，同時將占位面積減小至少60％。

產品特性：CSD23381F4
超低導通電阻
超低Qg和Qgd
高工作漏電流
超小尺寸（0402外殼尺寸）
1.0毫米×0.6毫米
超低輪廓
最大高度0.35毫米
集成式ESD保護二極管
額定> 4 kV HBM
額定> 2 kV CDM
無鉛無鹵
符合RoHS

制造商:CSD23381F4
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
PICOSTAR-3
晶體管極性:
P-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
12 V
Id-連續漏極電流:
2.3 A
Rds On-漏源導通電阻:
175 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
700 mV
Qg-柵極電荷:
1.14 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
0.35 mm
長度:
1 mm
系列:
CSD23381F4
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
0.64 mm
商標:
Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:
2 S
下降時間:
7 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
3.9 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
18 ns
典型接通延遲時間:
4.5 ns
單位重量:
0.400 mg