製造商: Texas Instruments
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: VSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 25 V
Id - C連續漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 4.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 950 mV
Qg - 閘極充電: 7.9 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 12 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
系列: CSD86356Q5D
晶體管類型: PowerBlock
品牌: Texas Instruments
互導 - 最小值: 70 S
下降時間: 3 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 12 ns
標準開啟延遲時間: 7 ns
每件重量: 119 mg
