XRT5683AIDTR-F 邏輯IC_TLV2241IDBVR 運放IC導讀

隨著5G網絡和下一代通信技術的出現，從商業到醫療保健、農業和教育的眾多領域都將受其影響。   一旦在通信基礎設施到位可以支持大量數據的傳輸，企業和政府就會希望提供無線覆蓋，以便在最后一英里的點對點連接，從倉庫中相互通信的對象到通信智能手機、恒溫器、心率監測器和許多其他設備之間。

按照TI的說法，創造高利潤率與他們用12英寸晶圓廠生產模擬芯片、降低成本有關。以TI為例，在過去10年內，其利潤和利潤率保持上升態勢，并在2018年創造了新高。在模擬芯片市場，像TI、ADI、Maxim這樣的廠商，都有著高于行業平均水平的毛利率。數據顯示，TI的模擬芯片在2018年的運營利潤率高達46.7%，但嵌入式處理器的運營利潤率僅為29.6%。

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AMC1311BDWVR 整流器件

TPS62823DLCR TPS62823DLCT TPS62821DLCT TPS62821DLCR BQ40Z50RSMR-R2 。

DAC7311IDCKR TPS62260DDCR TPS62260DDCT TPS62261TDRVRQ1 TCA9544APWR 。

SN74HCS74QPWRQ1 BQ27200EVM TPD8F003DQDR LMC6082AIN/NOPB 。

那么，這是不是意味著150mm晶圓正在逐步退出歷史舞臺呢？答案是否定的，150mm晶圓依然有著巨大的市場空間。行業內大量的150mm晶圓廠被關閉，越來越多的300mm晶圓廠上馬并逐步實現量產。

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SN65DSI83ZQER 其他被動元件

UCC28063DR LM536003QDSXRQ1 UCC2892DR MSP430FR2111IPW16R UCC21520QDWRQ1 。

TPS63060DSCR TPS63030DSKR TPS63060DSCT TPS63070RNMR TPS630701RNMR 。

。為了把聲波留在壓電薄膜里震蕩，震蕩結構和外部環境之間必須有足夠的隔離才能得到小loss和大Q值。而震蕩結構的另一面，壓電材料的聲波阻抗和其他襯底(比如Si)的差別不大，所以不能把壓電層直接deposit(沉積)在Si襯底上。聲波在固體里傳播速度為~5000m/s，也就是說固體的聲波阻抗大約為空氣的105倍，所以99.995%的聲波能量會在固體和空氣邊界處反射回來，跟原來的波(incident wave)一起形成駐波。

DRV8876NPWPR DRV8872DDARQ1 DRV5013ADQDBZT DRV5013ADQDBZR TPD4E001DRLR 。

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BAW filter更適合于2.5GHz以上的頻率，BAW filter的制造工藝也非常符合現有的IC制造工藝，適合和其他的active電路做整體的integration。。

  Membrane Type是從substrate后面etch到表面(也就是bottom electrode面)，形成懸浮的薄膜(thin film)和腔體(cavity)。  還有一種方法叫FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator), 包括Membrane type和Airgap type。。

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