OPA365AIDBVR 放大器_1235AS-H-100M=P3導讀

2019年4月，德州儀器發布了這座300mm晶圓廠的興建計劃，預計投資31 億美元。不過，鑒于2019年低迷的半導體市場，以及不甚理想的營收狀況，TI在Richardson 投資建設300mm晶圓廠計劃并不如當初預想的那樣順利，可能要推遲兩年才能完成。

。隨著制程工藝的成熟與進步，以及市場需求的增加，越來越多的公司采用20nm以下的先進工藝設計、生產IC和器件，這使得越來越多的IDM和代工廠淘汰生產效率低下的晶圓廠。

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MM3Z24VST1G 穩壓(齊納)二極管

TPS22919DCKR CSD23381F4 CSD23280F3 LM76002RNPR LM76002RNPT 。

TPS62823DLCR TPS62823DLCT TPS62821DLCT TPS62821DLCR BQ40Z50RSMR-R2 。

為了深入了解TI 這次在BAW技術上的新突破，我們要從BAW濾波器的原理說起：。在業內，TI首次將這項技術用于集成時鐘功能。 過去，BAW諧振器技術常被用于過濾諸如智能電話之類的通信技術中的信號。

TMP112AIDRLR TS3A225ERTER TPS2546RTER TMP112AIDRLT TPS82130SILR 。

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TLV3502AIDR 電壓比較器

簡而言之，BAW技術的進步為有線和無線網絡帶來了“更高的性能，更簡單的設計，更低的成本和更小的尺寸”，Wong解釋道。

TI高速數據和時鐘副總裁Kim Wong表示，該技術還實現了物聯網設備之間的高精度和強大通信，現在可以以不那么笨重的形式開發。

UCC28063DR LM536003QDSXRQ1 UCC2892DR MSP430FR2111IPW16R UCC21520QDWRQ1 。

TPS60403DBVR CSD17313Q2 TPS259571DSGR TPS259571DSGT TLV3202AQDGKRQ1 。

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Airgap type在制作壓電層之前沉積一個輔助層(sacrificial support layer)，最后再把輔助層去掉，在震蕩結構下方形成air gap。   因為只是邊緣部分跟底下substrate接觸，這種結構在受到壓力時相對脆弱，而且跟membrane type類似，散熱問題同樣需要關注。

TI新推出的搭載?BAW技術的最新款SimpleLink?多重標準MCU可集成到低功率無線射頻設備中，例如低功耗無晶體藍牙和Zigbee?技術，從而減少由外部晶體引起的無線射頻故障。

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