CSD87330Q3D 電源IC_TLV431BQDBZRQ1 貼片三極管導讀
該公司目前擁有兩個300mm晶圓廠，分別名為RFAB和DMO56。TI將很多邏輯和嵌入式IC生產外包給代工廠，但模擬芯片主要都是在其自家的工廠生產。
Pahl表示，每年在這兩個150mm晶圓廠生產約15億美元的產品，很大一部分將轉移到300mm晶圓廠，從而提高生產率和經濟效益。
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SN75176BDR 電源IC
SN74HCS74QPWRQ1 BQ27200EVM TPD8F003DQDR LMC6082AIN/NOPB 。
TPS65131TRGERQ1 TPS73701DCQR TPS2421-2DDAR TPS61022RWUR TPS61041DBVR 。
TPS22919DCKR CSD23381F4 CSD23280F3 LM76002RNPR LM76002RNPT 。
”石英晶體需要額外的元件來延長其精度 - 隨著時間的推移 - 其性能發生變化，超出了可控制的溫度變化，他補充說。此外，Solis說，“使用BAW諧振器比使用石英晶體更準確。
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LQG15HN1N8S02
簡而言之，BAW技術的進步為有線和無線網絡帶來了“更高的性能，更簡單的設計，更低的成本和更小的尺寸”，Wong解釋道。
。為了把聲波留在壓電薄膜里震蕩，震蕩結構和外部環境之間必須有足夠的隔離才能得到小loss和大Q值。而震蕩結構的另一面，壓電材料的聲波阻抗和其他襯底(比如Si)的差別不大，所以不能把壓電層直接deposit(沉積)在Si襯底上。聲波在固體里傳播速度為~5000m/s，也就是說固體的聲波阻抗大約為空氣的105倍，所以99.995%的聲波能量會在固體和空氣邊界處反射回來，跟原來的波(incident wave)一起形成駐波。
TPS60403DBVR CSD17313Q2 TPS259571DSGR TPS259571DSGT TLV3202AQDGKRQ1 。
LM5176PWPR LM5176PWPT DRV8876PWPR TPS23751PWPR TPS61194PWPR 。
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相比BAW-SMR，membrane type 較少一部分跟底下substrate接觸，不好散熱。不過薄膜結構需要足夠堅固以至于在后續工藝中不受影響。
合適的BAW壓電材料需要high electromechanical coupling coefficient，low electromechanical loss，high thermal stability，還要符合IC工藝技術。石英(quartz)作為常見的壓電材料，在高電壓和高壓力的情況下表現出線性反應，但還沒有合適的方法把石英做成薄膜deposit在Si襯底上。
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