FCMT125N65S3 製造商: ON Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PQFN-4
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 24 A
Rds On - 漏-源電阻: 125 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 49 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 181 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: ON Semiconductor
互導 - 最小值: 16 S
下降時間: 5.8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 60 ns
標準開啟延遲時間: 22 ns
每件重量: 156.066 mg