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FSL117MRIN

發布時間:2021/7/29 9:54:00 訪問次數:152

FSL117MRIN技術參數:


導通電阻(最大):11歐姆


準時(最大):12納秒


關閉時間(最大):30納秒


電源電流(最大):0.5 mA


最高工作溫度:+125℃


安裝方式:通孔


包裝/箱:DIP-8


包裝:試管


CSD16406Q3
CSTCR4M00G53-R0
CXA2206N-T4
HDC1080DMBR
HEF4011BT
HEF4093BT
HGTG11N120CN
HIN202EIBNZ-T
HMC1122LP4METR
HMC5883L-TR
HP303DLHTR
HR911105A
HT1621B
HT1625
HT6872
HT7333-A
HT7530-1
HT7737
HV9982K6-G
HX1188NLT
HY57V641620ETP-7
ICS952906BGLF
IDT74ALVC16245PAG
IMP707CSA
IMP809LEUR/T
INA105KU/2K5
INA128PA
INA138NA/3K
INA199A1DCKR
INA220AIDGSR
INA226AIDGSR
INA326EA/2K5
IP1001-LF
IP175GHRR
IPB042N10N3G
IR2117STRPBF
IR2181STRPBF
IRF3205STRLPBF
IRF3205ZPBF
IRF7314TRPBF
IRF7842TRPBF
IRFB7440PBF
IRFHM9331TRPBF
IRFL4310TRPBF
IRFR5305TRPBF
IRFZ24NPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLIZ34NPBF
IRLML2502TRPBF
IRS2101STRPBF
IRS2103STRPBF
IS93C46D-2GRLI
ISL81487EIBZ-T
ISO1050DWR
ISO1540DR
ISO7241CDWR
JC817C
JM20339-LGDA1C
JS28F640J3D75
K9F1208UOB-PCBO
KA5M0365RYDTU
KH25L1606EM2I-12G
kia78-05af
KIA7805AP
KSZ8041NL TR
KSZ8041NLI-TR
KSZ8081MNXCA-TR
KSZ8721BLTR
L293DD013TR
L3G4200D
L6219DS
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LAN9500AI-ABZJ-TR
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DS18B20U+T&R
DS2411R+T&R
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DTA143EKA
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EL817(C)-F
EL817S(C)(TU)-F
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FDN340P
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HMC1122LP4METR
HMC5883L-TR




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品質承諾:所有提供產品均為原廠生產。
特色優勢:高端物料、軍品級(宇航級)物料、停產料、緊缺料。





據悉,這款全新發布的PlasticArm M0新型塑料芯片原型,可以直接在紙張、塑料或織物上打印電路。如此一來,只需要非常低廉的成本就可以更輕易的實現“萬物互聯”的世界。


塑料如何能成為芯片材料?


歷經幾十年的發展,處理器也實現了從大體積到微型化,從剛性到柔性的跨越式發展。微處理器是眾多電子設備的核心,包括智能手機、平板電腦、筆記本電腦、路由器、服務器、汽車,以及最近構成物聯網的智能對象。


硅基芯片技術的普及,已經嵌入到了地球上的每一個“智能”設備中,但硅基芯片技術也面臨著一些難題,比如如何將其布置在諸如瓶子、食品包裝、服裝、可穿戴貼片、繃帶等日常物品上,讓它們也能實現智能化?采用傳統的硅基芯片技術在成本上帶來了極大的阻礙。此外,硅基芯片技術無法實現薄、柔韌等特性,在這些具有一定曲度或者柔軟度的物品身上難以實現高度貼合。


柔性電子材料的出現,為解決上述難題提供了新的思路。在《自然》雜志發表的這篇論文中提到,Arm與PragmatIC 合作,做出了Arm最受歡迎的微控制器之一M0的完全實用的非硅版本。


據介紹,Arm柔性芯片的微處理器PlasticARM M0是采用柔性電子制造技術制造的,設計有128字節的RAM和456字節的ROM,還支持32位Arm微架構。Arm在不到60平方毫米的芯片上集成了56340個組件,這個數量比目前最先進的塑料芯片設計強大12倍,計算性能大幅提高。


該處理器采用聚酰亞胺基板,通過薄膜金屬氧化物晶體管(比如IGZO TFT)做成。這意味著這從技術上來說仍然是光刻工藝,使用旋涂和光刻膠技術,最后做出來的處理器有13道材料層和4道可布線的金屬層。然而,由于自使用IGZO屏幕以來TFT設計已經很普遍,因此生產成本仍很低。


PlasticArmM0設計使用56340器件,該器件結合了39157個薄膜n型晶體管和17183個電阻器。論文稱,由于這種設計的目的是沒有任何物理添加的電阻器,這么多層內在TFT層面部署電阻器需要使用電阻更高的光刻材料,以實現尺寸更小。總體而言,論文預測了18334個NAND2門的同等硅設計。PlasticArmM0核心在29 kHz下的總功耗為21 mW,其中99%是靜態功耗(45%用于核心、33%用于內存、22%用于IO)。處理器上的28個引腳用于時鐘信號生成、復位、GPIO、電源和調試。



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