IRFR220NTRPBF

商品目錄 功率MOSFET
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 10V
柵極電壓Vgs ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 43W(Tc)
工作溫度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驅動電壓@Rds On（Max),Rds On(Min） 10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@2.9A,10V
FET類型 N-Channel
漏源極電壓Vds 200V
連續漏極電流Id 5A
封裝/外殼 D-Pak