IRF1405PBF

商品目錄 功率MOSFET
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 260nC @ 10V
柵極電壓Vgs ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5480pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc)
工作溫度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驅動電壓@Rds On（Max),Rds On(Min） 10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 260nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5480pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@101A,10V
FET類型 N-Channel
漏源極電壓Vds 55V
連續漏極電流Id 169A
封裝/外殼 TO-220AB