IRLML2246TRPBF

商品目錄 功率MOSFET
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 10μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V
柵極電壓Vgs ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 220pF @ 16V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta)
工作溫度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驅動電壓@Rds On（Max),Rds On(Min） 2.5V,4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 10μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 220pF @ 16V
Rds On(Max)@Id,Vgs 135mΩ@2.6A,4.5V
FET類型 P-Channel
漏源極電壓Vds 20V
連續漏極電流Id 2.6A
封裝/外殼 Micro3™/SOT-23