商品目錄 功率MOSFET
FET類型 N-Channel
漏源極電壓Vds 30V
連續漏極電流Id 86A(Tc)
驅動電壓@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V
柵極電壓Vgs ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2150pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@25A,10V
工作溫度 -55°C~175°C(TJ)
封裝/外殼 DPAK
電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V
電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds 15V