IRLML5103TRPBF

商品目錄 小信號MOSFET
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.1nC @ 10V
柵極電壓Vgs ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 75pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta)
工作溫度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驅動電壓@Rds On（Max),Rds On(Min） 4.5V,10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.1nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 75pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@600mA,10V
FET類型 P-Channel
漏源極電壓Vds 30V
連續漏極電流Id 0.76A
封裝/外殼 Micro3™/SOT-23