IRLML0060TRPBF

商品目錄 通用MOSFET
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 25μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V
柵極電壓Vgs ±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 290pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta)
工作溫度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驅動電壓@Rds On（Max),Rds On(Min） 4.5V,10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 25μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 290pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.7A,10V
FET類型 N-Channel
漏源極電壓Vds 60V
連續漏極電流Id 2.7A
封裝/外殼 SOT-23