1N4448HWT-7特性：

1N4448HWT-7是一款超小型表面安裝小信號開關二極管，1N4448HWT-7封裝在模制塑料外殼中。1N4448HWT-7有啞光錫（無鉛電鍍）退火合金42引線框架端子。它用于一般用途的開關應用。
快速開關速度
高電導
完全無鉛
無鹵無銻綠色器件
根據J-STD-020，濕度敏感度等級為1
UL94V-0可燃性等級

1N4448HWT-7單開關小信號二極管，80伏，125毫安，1.25伏，4納秒，2安

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據其統計，由于5G基站、新能源、快充市場發展等原因拉動，去年我國第三代半導體碳化硅、氮化鎵電力電子和氮化鎵微波射頻市場總規模達到113億元，較2019年增長85%。“然而，不斷增長的市場規模并未對國內產業形成有效拉動，國內企業規模仍然較小，在新能源汽車、5G基站等關鍵市場超過八成的國內市場份額主要被國際大廠占有。”聯盟在報告中指出。有半導體產業鏈上市公司相關人士亦向記者表示，“第三代半導體大家都在研發當中，但是真正能夠大規模量產的并不多，目前大部分的量都是進口國外的產品。”


第一代半導體是以硅材料為主，廣泛應用在手機、電腦等領域，比如電腦的和手機的處理器都采用這種硅基的半導體技術。第二代半導體以砷化鎵、銻化銦為代表，主要是功率放大，用于衛星通訊、移動通訊、導航等領域。第三代半導體是以氮化鎵、碳化硅為代表的化合物半導體，主要應用于光電子、電力電子和微波射頻，比如手機快充、新能源車、軌道交通、5G基站、航空航天等等。


其實我國是具備國際半導體市場競爭力的，設備、材料、技術等等都有相應的發展部署，而且還在不斷取得突破進步。與其讓國外企業賺中國市場的錢，不如自己多加努力，把控自己的市場，占據市場主動權。


好的一方面是，中芯國際已經在持續投入產能開支，中芯紹興項目實現穩定量產，今年也在28nm制程范圍內提升產能。與此同時各大高校都在輸送源源不斷的人才隊伍，確保國內半導體產業有足夠的人才資源保障。國產半導體有非常大的潛力，大部分的芯片消費市場都集中在中國，這促使許多海外的供應商都向中國出售半導體設備。但是在美國的規則下，含有美國技術的供應商產品，都無法順利出貨，必須獲得許可。


近一段時間，芯片連續霸屏 A 股，不少目光更是聚焦在了第三代半導體身上。實際上，在第三代半導體產業被納入 " 十四五 " 規劃后，半導體發展就成為今年的關鍵詞。一級市場上，創投機構紛紛加碼。


信息通訊技術專家周太平對《科創板日報》記者表示，第三代半導體技術的重要性不言而喻，它推動著社會從信息社會向智能社會發展。


" 國內第三代半導體企業多為中小微企業，技術水平可能國際領先，市場前景不可估量，但是要想占據市場主導，特別是與國際巨頭企業競爭，還需政策和資本的保駕護航。" 周太平稱。


而在半導體領域火熱的背后，6 月 21 日，高瓴資本罕見路演。在路演中，高瓴資本認為，集成電路、半導體是賽道最長、機會最多、對投資金額的要求可能也最高的賽道，具體可以分為車載半導體、高性能計算半導體和功率半導體三大方向。




" 在半導體領域，中國公司未來有能力做成千億甚至萬億級獨角獸的機會。" 高瓴資本說到。據悉，此次高瓴發起科技賽道專項基金，主要投資半導體、前沿科技、新能源、智能硬件等領域。


半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。第一代半導體材料主要是指硅、鍺元素半導體材料。第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵、銻化銦。


第三代半導體，被業內譽微電子產業的“新發動機”，主要包括目前即將成熟應用的碳化硅、氮化鎵。


6月中旬，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(以下簡稱“聯盟”)在最新發布的《第三代半導體產業發展報告2020》(以下簡稱“報告”)中表示，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體在新能源汽車、5G、光伏發電、快充等領域不斷取得突破，2020年全球第三代半導體市場總體保持增長態勢。
根據規劃，到2025年我國將力爭實現第三代半導體技術在全球居于領先地位，產業規模將達到全球第一;到2030年全產業鏈達到國際先進水平，核心器件國產化率超過70%。


從以上可以看出，第三代半導體是半導體行業未來市場的主流，有點像3G、4G、5G的進階。近期半導體板塊的表現也是異常凌厲，但是股價的快速上漲并非可持續的。


“第一代和第二代半導體，尤其是在芯片領域，我國整體相較技術領先國家落后至少二十年，但第三代半導體材料發展，目前我國與國際巨頭公司差距可精確至5年左右。”宋杰認為，近年來我國重視第三代半導體，加大相關研發投入，也是希望能借由這一路徑，盡快縮小與其他國家差距，實現換道超車。


第三代半導體材料主要有氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等。宋杰博士介紹，氮化鎵領域目前以日本技術最為領先，而美國則在碳化硅方面發展得最好。


陳辰認為：“日本一直有研發新材料的傳統，日本科學家也是氮化鎵這一材料的“鼻祖”。據了解，2014年的諾貝爾物理學獎，正是授予了發明出藍色發光二極管的日本名城大學教授赤崎勇、日本名古屋大學教授天野浩和美國加利福尼亞大學圣巴巴拉分校教授中村修二這三位日本籍或日裔科學家。


國內半導體生產企業華潤微(688396.SH)相關人士在接受記者采訪時表示，目前該公司也在布局第三代半導體，已經推出了碳化硅二極管樣品。目前公司采用IDM的模式，也就是說在半導體產業鏈上覆蓋了設計、制造、封測等多個環節。


目前，第三代半導體功率器件發展方向主要有碳化硅和氮化鎵兩大方向，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高，在功率半導體領域有很大的應用潛力。碳化硅擁有更高的熱導率和更成熟的技術，氮化鎵高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優點，兩者的不同優勢決定了應用范圍上的差異。氮化鎵集中在600V以下領域，主要應用于快充、電源開關、激光雷達、服務器電源等市場;碳化硅用于1200V以上領域，主要應用于電動汽車、PFC電源、儲能、充電樁、軌道交通、智能電網等領域。


與第一代和第二代半導體材料相比，它具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，應用前景和市場潛力巨大。


我國第三代半導體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一，正處于研發及產業化發展的關鍵期。




國產半導體“新格局”正在發生改變，在新的格局下，國內半導體會有越來越多的企業參與其中，也會減少對海外市場的依賴。


國內半導體的各大領域都有相應的突破，可謂是越挫越勇。新的半導體市場格局也在逐漸成型。


很多企業正在改變思想觀念，從以前的“造不如買”到現在的“買不如造”，寧愿自己造也不希望過度從國外購買芯片。在力所能及的范圍內，將實現自主可控的產業優勢。