50P06_NCE3407導讀

除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外，南山電子還提供風華阻容感，長晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。

針對這種需求，新潔能生產出內阻小，抗過電流能力好的N溝道溝槽工藝MOS管——NCE80H12，NCE80H12的導通電阻小于6mΩ，輸出電流可達120A，電機扭矩較好，。

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NCE60H10

MOS管3306產品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色設備 3、低電阻開關，減少導電損耗 4、高雪崩電流。

對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。

電感器符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素。IHLP-7575GZ-51封裝采用100%無鉛（Pb）屏蔽復合結構，蜂鳴噪聲降至超低水平，對熱沖擊、潮濕和機械振動具有很強的耐受能力，可無飽和處理高瞬變電流尖峰。

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NCEP40T15

NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。

。對于Vantam的模擬信號通道(包括低通濾波器[LPF]、負反饋電路[NFB]、前置放大器IC、IV轉換器及頭戴耳機放大電路)的微調，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式電阻。過去幾年中，由于專注于提供音頻性能差異化，該公司轉向薄膜技術。去年，當VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF電阻(如圖1所示)能夠提供出色的聲音質量后，開始指定使用Vishay產品。

Vishay的MELF電阻生產運用先進的真空濺射工藝，在超高真空室內，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結構質量的專有鎳鉻合金。憑借在相同焊盤尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產生高很多的縱橫比，進而導致沿著電阻的場強非常低。與厚膜電阻相比，通常可提供約-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個數字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。這種精密內部結構為低噪聲性能奠定了理想基礎，而電阻的圓柱形狀又進一步增強了低噪聲性能。這兩個因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應用的選擇。要知道，局部電場強度是產生電流噪聲的主要來源。

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

鋰電池主要由兩大塊構成，電芯和鋰電池保護板PCM。

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