NCE2014ES_NCE60P40F導讀
內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。
日前發布的電感器特別適合用于2 MHz以下DC/DC 轉換器能量存儲，以及電感器自諧振頻率（SRF）以下大電流濾波。該器件的應用包括筆記本電腦、臺式電腦以及服務器；小型大電流電源；POL轉換器；電池供電設備；分布式電源系統和 FPGA。
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NCE2060K
MOS管3306產品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色設備 3、低電阻開關，減少導電損耗 4、高雪崩電流。
NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創立，以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家，不斷發展成為紐約證券交易所上市的“財富1000 強企業”。該公司創始人Felix Zandman是一位科學家、發明家和企業家，擁有71項專利，寫過四本書和許多論文，曾獲得美國電子工業榮譽獎章，法國榮譽勛章等眾多獎項。
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NCEP02580F
。Vantam的較新頭戴耳機放大器支持較大384K/32 bit的PCM和較大11.2 MHz的DSD，同時讓用戶能夠享受均衡音頻的寬廣音域和立體聲效果。這些產品的外殼采用堅固的碳纖維加強材料，外形時尚，內部包含高性能運算放大器、頭戴耳機放大器、DAC(數/模轉換器)、數字聲音采樣(DSUS)和USB音頻處理器。
。對于Vantam的模擬信號通道(包括低通濾波器[LPF]、負反饋電路[NFB]、前置放大器IC、IV轉換器及頭戴耳機放大電路)的微調，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式電阻。過去幾年中，由于專注于提供音頻性能差異化，該公司轉向薄膜技術。去年，當VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF電阻(如圖1所示)能夠提供出色的聲音質量后，開始指定使用Vishay產品。
Vishay的MELF電阻生產運用先進的真空濺射工藝，在超高真空室內，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結構質量的專有鎳鉻合金。憑借在相同焊盤尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產生高很多的縱橫比，進而導致沿著電阻的場強非常低。與厚膜電阻相比，通常可提供約-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個數字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。這種精密內部結構為低噪聲性能奠定了理想基礎，而電阻的圓柱形狀又進一步增強了低噪聲性能。這兩個因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應用的選擇。要知道，局部電場強度是產生電流噪聲的主要來源。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
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MOS管在保護板中的作用是：1、檢測過充電，2、檢測過放電，3、檢測充電時過電電流，4、檢測放電時過電電流，5、檢測短路時過電電流。
NCE3401的性能參數表現還是不錯的，適用于作負載開關或脈寬調制應用，阻抗值也比較低，而且新潔能MOS管已具備屏蔽柵功率和超結功率MOSFET特色工藝技術，其部分產品的參數性能與送樣表現，可以與國外的MOS管相差無幾，比如同樣用在鋰電池保護板中，NCE3401，AO3401，IRLML5203TR，DMP3098L-7，我認為相比較來看功能可以滿足，并且價格適中的NCE3401更加合適。
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