NCE30H21_NCE01P18D導讀
日前發布的電感器特別適合用于2 MHz以下DC/DC 轉換器能量存儲,以及電感器自諧振頻率(SRF)以下大電流濾波。該器件的應用包括筆記本電腦、臺式電腦以及服務器;小型大電流電源;POL轉換器;電池供電設備;分布式電源系統和 FPGA。
內阻越小承受電流越大(因為發熱小)。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻,也就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流(當然和其它因素有關,如熱阻)。
NCE01P18D" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
NCE85H21TC
電感器符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。IHLP-7575GZ-51封裝采用100%無鉛(Pb)屏蔽復合結構,蜂鳴噪聲降至超低水平,對熱沖擊、潮濕和機械振動具有很強的耐受能力,可無飽和處理高瞬變電流尖峰。
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。
。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創立,以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家,不斷發展成為紐約證券交易所上市的“財富1000 強企業”。該公司創始人Felix Zandman是一位科學家、發明家和企業家,擁有71項專利,寫過四本書和許多論文,曾獲得美國電子工業榮譽獎章,法國榮譽勛章等眾多獎項。
NCE01P18D" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
NCEP4045GU
NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。
NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。
。在把Vishay元件整合進新發布的SounDroid Vantam之前,VentureCraft對MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207薄膜MELF進行了詳盡的測試以及個人聲音評價。這些測試和評價使用了網絡分析儀和人耳,它們全都證實了聲音質量的改善。
NCE01P18D" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
MOS管在保護板中的作用是:1、檢測過充電,2、檢測過放電,3、檢測充電時過電電流,4、檢測放電時過電電流,5、檢測短路時過電電流。
NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
相關資訊