檢測大功率達林頓管的方法與檢測普通達林頓管基本相同。但由于大功率達林頓管內部設置了 V3、R1、R2 等保護和泄放漏電流元件,所以在檢測量應將這些元件對測量數據的影響加以區分,以免造成誤判。STM32F413MHY6TR具體可按下述幾個步驟進行:
A 用萬用表 R×10K 擋測量 B、C 之間 PN 結電阻值,應明顯測出具有單向導電性能。正、反向電阻值應有較大差異。
B 在大功率達林頓管 B-E 之間有兩個 PN 結,并且接有電阻 R1 和 R2。用萬用表電阻擋檢測時,當正向測量時,測到的阻值是 B-E 結正向電阻與 R1、R2 阻值并聯的結果;當反向測量時,發射結截止,測出的則是(R1+R2)電阻之和,大約為幾百歐,且阻值固定,不隨電阻擋位的變換而改變。但需要注意的是,有些大功率達林頓管在 R1、R2、上還并有二極管,此時所測得的則不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)與兩只二極管正向電阻之和的并聯電阻值。
STM32F413MH基于ARM® Cortex®-M4內核,采用了意法半導體的NVM工藝和ART Accelerator™,在高達84 MHz的工作頻率下通過閃存執行時其處理性能達到225 DMIPS/608 CoreMark,這是迄今所有基于Cortex-M內核的微控制器產品所達到的zui高基準測試分數。
它由于采用了動態功耗調整功能,通過閃存執行指令時的電流消耗大大降低。
STM32F413MH屬于STM32F4系列的入門級微控制器,是尺寸zui小、成本zui低的解決方案,具有卓越的動態功耗效率。
它帶DSP和FPU,具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
STM32F413MH具有高集成度,適合用于消費、工業和家電領域等各種應用,并可用于物聯網 (IoT) 解決方案。
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STM32F413MHY6TR參數
料號 STM32F413MHY6TR
特性 帶DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU,具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU、ART加速器和DFSDM
狀態 Active
封裝 WLCSP 81 4.1x4x0.6 P 0.4 mm
內核 Arm Cortex-M4
操作頻率(MHz) 100
程序存儲器大小 (kB) 1536
雙組閃存 false
數據RAM大小(kB) 320
計時器(16-bit) 12
計時器 (32-bit) 2
其他計時器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC轉換器數量 1
通道數量 16
D/A轉換器 2
輸入/輸出端數量 60
顯示控制器 -
CAN接口數量 3
I2C接口數量 3
SPI接口數量 5
I2S接口數量 5
USART接口數量 4
UART接口數量 3
存儲器擴展接口 FSMC,Quad SPI
USB類型 USB OTG FS
加密技術 -
TRNG true
電源電壓 (V) min 1.7
電源電壓(V) max 3.6
靜態電流 (μA) (@ Lowest Power) 1.1
工作電流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 112
工作溫度(°C) min -40
工作溫度 (°C) max 85
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深圳西昂特科技除了以上STM32F413MHY6TR以外,還提供多種規格多種品牌的32.768KHZ,16MHZ,20MHZ,24MHZ,30 MHz等頻率晶體及有源或溫補晶振,時鐘芯片,陀螺儀傳感器,濾波器,雙工器,連接器等。如有需要,歡迎垂詢。
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