Vds-漏源極擊穿電壓:
55 V
Id-連續漏極電流:
17 A
Rds On-漏源導通電阻:
70 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.8 V
Qg-柵極電荷:
13.3 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
45 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Tube
商標:
Infineon / IR
配置:
Single
高度:
15.65 mm
長度:
10 mm
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
100
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.4 mm
零件號別名:
IRFZ24NPBF SP001565128
單位重量:
2 g